半导体光电

期刊基本信息

  • 期刊名称:半导体光电
  • 期刊级别: 北大核心 CA JST WJCI
  • 期刊ISSN:1001-5868
  • 期刊CN:50-1092/TN
  • 简称:BDTG
  • 期刊官方网站:http://semiopto.ijournals.cn
  • 出版年份:1976

半导体光电

北大核心CAJSTWJCI

期刊介绍

  《半导体光电》创刊于1976年,是由中国电子科技集团公司主管、重庆光电技术研究所(中国电子科技集团公司第四十四研究所)主办的中文科技期刊。本刊国内外公开发行,经过四十余年的发展已经成为我国光电子专业领域有代表性的刊物。

  ? 《半导体光电》旨在传播、推广、交流光电子科学与技术,促进光电子技术及其相关学科理论和技术的繁荣与发展。在报道重点上,本刊秉持以光电器件为主体,以材料、结构及工艺为基础,以光电器件在各个领域中的应用为先导的选题原则。主要设有“动态综述”、“光电器件”、“材料、结构及工艺”、“光通信”及“光电技术应用”等栏目。

  ? 《半导体光电》是全国中文核心期刊,连续多年获得工业和信息化部“优秀科技期刊奖”。被中国科学引文数据库、中国学术期刊、INSPEC数据库、Elsevier二次文献Scopus数据库、《CA》、《JA》等众多国内外数据库收录,影响力逐年提升。

投稿要求

  • 通讯方式:重庆市沙坪坝区西永大道23号《半导体光电》编辑部
  • 涉及的研究方向:无线电电子学、电信技术
  • 出版国家或地区:重庆市
  • 总下载次数:571015
  • 平均出版时滞:112.1714
  • 复合影响因子:1.250
  • 综合影响因子:0.795
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所
  • 主编:刘昌林
  • 咨询邮箱:soe@163.net
  • 联系电话:023-65860286

投稿格式

  1.文献的著录格式严格按照以下形式书写(含标点符号):

  1) 专著:作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码.

  2) 译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.

  3) 期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.

  4) 会议论文集:作者.题名[C]// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.

  5) 学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.

  6) 专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.

  7) 标准:责任者.标准代号 标准名称[S].出版地:出版者,出版年.

  8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名:其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地:出版者,出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.

  9) 注意事项

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  (2)外文著者一律用姓在名前,采用首字母缩写(中国人用全名不缩写)。姓和名之间不加逗号,名2个以上大写首字母,2名间空一格。文献作者3名以内全部列出,4名以上则列前3人,后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等,应用逗号分开。

  (3)外文题名第一个单词首字母大写,其余单词(专有名词除外)均不大写。

  (4)外文刊名应按国际标准规定缩写,不加缩写点。

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投稿须知

  1. 来稿文责自负。文稿务必主题明确,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家机密,引用他人作品应给出来源。

  2. 普通类型文稿一般不超过8 000 字,综述稿不限。所有稿件应附中英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。

  3. 摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200~250 字为宜。

  4. 关键词以5~8 个为宜。为便于文献检索, 应尽可能提供中图分类号。

  5.文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。

  6. 插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作,勿用截图。本刊自2020年第4期开始改版为彩色印刷,接受彩色图文件。请在投稿时一并提交图文件,分辨率不低于600dpi,框图、流程图等推荐用visio软件绘制。

  7. 文稿中引用他人的成果,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。

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