半导体技术

期刊介绍

　　《半导体技术》(ISSN 1003-353X、CN13-1109/TN、CODEN BAJIFJ)是国家新闻出版署批准公开发行、中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。

　　本刊创刊于1976年，重点介绍半导体新材料的研发、半导体器件(CMOS器件、有机半导体器件、化合物半导体器件、半导体光电器件、薄膜晶体管等)和技术、集成电路设计与应用、半导体制备和封装技术、可靠性(功率器件、封装可靠性等)、检测技术与设备等领域国内外的最新研究成果。栏目分为：趋势与展望，半导体材料与器件，半导体制备技术，集成电路设计与应用，封装、检测与设备。

　　本刊为中文核心期刊、中国科技核心期刊，被《中国学术期刊网络出版总库》、中文科技期刊数据库、万方数据知识服务平台、超星期刊域出版平台、科技期刊世界影响力指数(WJCI)报告、美国《化学文摘》(CA)、美国《剑桥科学文摘》(CSA)、美国《乌利希期刊指南》(UPD)、英国INSPEC数据库、俄罗斯《文摘杂志》(AJ of VINITI)、日本科学技术振兴机构数据库(JST)、美国《史蒂芬斯数据库》(EBSCOhost)等国内外数据库收录。

投稿要求

• 通讯方式：河北省石家庄市合作路113号
• 涉及的研究方向：无线电电子学、电信技术
• 出版国家或地区：河北
• 邮发代号：18-65
• 总下载次数：650526
• 平均出版时滞：126.6577
• 复合影响因子：0.701
• 综合影响因子：0.402
• 主管单位：中国电子科技集团公司
• 主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
• 咨询邮箱：bdtj1339@vip.163.com
• 联系电话：0311-87091339

投稿格式

　　书写格式

　　♦ 题目要求不超过20字。

　　♦ 署名作者及所在单位：提供中英文的单位全称、所在城市和邮政编码，作者人数不超过7人。

　　♦ 中英文摘要：摘要宜用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论，中文250字左右。

　　♦ 关键词：中英文5~8个。

　　♦ 中图分类号：采用中国图书分类法(第五版进行分类)。

　　♦ 基金项目：在首页页脚标注项目名称和批准号。

　　♦ 缩略词和物理量：正文部分英文缩略词第一次出现时须写出中英文全称;物理量符号须分清大小写、正斜体、上下角，第一次出现该符号时需给出其含义。

　　♦ 图、表和公式：按在论文中出现的先后顺序编号并排在正文相应位置，在图下面标注图题、图注。有分图时分图用(a)(b)(c)等标识并给出中文分图题，插图最好用矢量图格式。表格应简明，宜用三线表，图和表里的文字用中文。图表以不小于50 mm×70 mm 为宜，照片须清晰，分辨率不低于600 dpi。图、表中出现的物理量名称和符号须与正文一致，不要出现正文中没有提及或与正文内容无关的文字或符号。公式在文章中以阿拉伯数字连续编号，需用Mathtype公式编辑器编辑。

　　♦ 参考文献：按在正文中出现的顺序编号，用方括号标于引文处右上角，并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料，应符合GB/T 7714—2015文献著录规则，著录项目齐全。

　　⇒ 期刊格式：作者(列前三名，姓前名后，英文全部大写)，等. 文章题目(英文首字母大写)[J]. 刊名(每个英文单词首字母大写)，发表年份，卷(期)：起止页码.

　　⇒ 书籍格式：作者(列前三名，姓前名后，英文全部大写)，等. 书名(英文首字母大写)[M]. 出版地：出版社，出版年份：参考起止页码.

　　⇒ 会议论文集格式：作者(列前三名，姓前名后，英文全部大写)，等. 文章题目(英文首字母大写)[C] // 会议名称. 会议召开的城市，国别，年份：起止页码.

　　♦ 作者简介(含导师简介)：姓名(出生年—)，性别，籍贯(出生地，如：河北石家庄人)，学历，职称，从事专业或研究方向。

投稿须知

　　1. 征稿范围

　　半导体新材料的研发、半导体器件(CMOS器件、有机半导体器件、化合物半导体器件、半导体光电器件、薄膜晶体管、存储器等)和技术、集成电路设计与应用、先进半导体制造技术和封装技术、可靠性(功率器件可靠性、ESD技术等)、检测技术与设备等领域国内外的研究进展和最新研究成果。主要栏目：趋势与展望，半导体材料与器件，半导体制备技术，集成电路设计与应用，封装、检测与设备。

　　为使您的文章符合标准化出版要求，并得到更加及时的处理，请您务必阅读并了解本刊对投稿的一些要求。

　　2. 投稿方法

　　①系统投稿：请登录《半导体技术》网站(http://www.bdtj.cbpt.cnki.net)“作者投稿” 一栏进行投稿(推荐)

　　②邮箱投稿：bdtj1339@vip.163.com

　　如有问题请联系编辑部邮箱bdtj1339@vip.163.com，或致电编辑部电话0311-87091339进行咨询。

　　3. 投稿要求

　　♦ 作者在投稿前，须准备好全部作者签字、单位盖章的论文审查证明，在投稿系统中上传电子扫描版。投稿作者必须遵守学术规范和准则，勿一稿多投，杜绝泄密、抄袭、剽窃等行为。

　　♦ 来稿件请用WORD 文档排版。

　　♦ 稿件应论点明确、数据可靠、条理清晰、文字精炼，论文撰写符合国家出版标准和规范。

　　♦ 英文稿件要求语法规范、用词准确、表述无误。

　　♦ 来稿请附第一作者及通信作者的联系方式，包括通信地址及邮编、固定或移动电话、E-mail，以便及时与作者联系。

　　♦ 在稿件的最后一页需附上作者简介、第一作者近期1寸免冠证件照片(JPG格式)。若第一作者为在校学生，还需提供导师的个人简介(作者简介总数不超过3个)，并确认导师是否同意投稿，且文中所有内容(例如：数据)已经核实准确无误。

　　4. 审稿流程

　　收到稿件后，编辑部将通过“科技期刊学术不端文献检测系统”、网络搜索文献对比和编辑部综合审查等对稿件进行初审(5~7个工作日)，无论初审通过与否，编辑部都会尽快告知。初审通过后的稿件将送至相关领域专家进行“双盲审稿”，编辑部于40天左右将评审意见发给作者。作者应将修改后的文稿及时(3周内)返回编辑部，审阅通过后将进行编辑加工和印刷出版。

　　5. 注意事项

　　自作者投稿之日起，视所有署名作者同意将文章的版权转让给《半导体技术》编辑部。本刊已许可中国知网、美国《化学文摘》(CA)及英国INSPEC等数据库以数字化方式复制、汇编、信息网络传播本刊全文。所有著作权转让费用均包含在论文刊登后《半导体技术》期刊支付的稿酬中，不再另行支付费用。作者向本刊提交文章发表的行为即视为同意我编辑部上述声明。如有异议，请在来稿时说明，本刊将进行适当处理。

编委会

　　顾问：

　　王占国(院士) 李树深(院士)

　　名誉主任：

　　俞忠钰 毕克允 赵正平

　　主任：

　　蔡树军

　　副主任：

　　卜爱民 崔玉兴 赵小宁 于燮康

　　委员(按姓氏笔画排序)：

　　于宗光 马凯学 马晓华 王 珺 王三胜 邓二平 卢豫曾 叶甜春

　　朱明程 刘佑宝 刘国友 刘斯扬 汤庭鳌 杨建红 李 征 吴林晟

　　吴春瑜 吴景峰 沈 波 张 波 张光祖 陈文华 陈秉克 周祖成

　　赵建忠 秦 华 贾松良 顾晓峰 郭 清 黄学良 曹俊诚 康仁科

　　褚金奎 魏少军